MOSFET FDS6690AS

Nowy mosfet stosowany m.in. w laptopach HP DV5 i ogólnej elektronice.

• Typ kanału: N
• Maksymalny ciągły prąd drenu: 10 A
• Maksymalne napięcie dren-źródło: 30 V
• Maksymalna rezystancja dren-źródło: 12 mΩ
• Minimalne napięcie progowe VGS: 1V
• Maksymalne napięcie bramka-źródło: -20 V, +20 V
• Typ opakowania: SOIC
• Typ montażu: Montaż powierzchniowy
• Konfiguracja tranzystora: Pojedynczy
• Liczba styków: 8
• Tryb kanałowy: Rozszerzenie
• Kategoria: MOSFET zasilania
• Maksymalna strata mocy: 2,5 W
• Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs: 16 nC przy 10 V
• Typowy czas opóźnienia włączenia: 8 ns
• Szerokość: 4mm
• Liczba elementów na układ: 1
• Minimalna temperatura robocza: -55°C
• Wysokość: 1.5mm
• Seria: PowerTrench, SyncFET
• Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds: 910 pF przy 15 V
• Maksymalna temperatura robocza: +150°C
• Długość: 5mm
• Wymiary: 5 x 4 x 1.5mm
• Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 25 ns
• Materiał tranzystora: Si

kod produktu: A037